管理体系|ABOUT US

产品搜索

编码器,机械臂,触摸屏,镜头,传感器 …

爱电精(上海)商贸有限公司,是爱电株式会社(日本•东京)在中国投资的全资子公司,于2006年在上海成立。公司立足于自动化控制领域,致力于为终端客户及设备制造商提供工控机器部品及自动化装置、控制柜等集成系统,来满足其不断提升的要求。伴随着中国FA行业... 阅读更多>>

管理体系

乐投体育平台功率半导体井喷:IGBT模块主流厂商与产品

作者: admin 来源: 未知 发布时间:2020-10-06 09:41

  等,其中IGBT集成度最高,结构最复杂,同硅基材料中能承受最高的工作电压,具有最高价值量。目前国外IGBT主要厂商有、富士电机、赛米控等,而国内IGBT主要厂商有斯达半导体、中车、广东芯聚能、宏微科技等。目前国内外IGBT实力相差悬殊,但随着新基建、新能源汽车等发展,国内IGBT已经初具规模,并在不断缩小与国外厂商的差距。

  IGBT供不应求,行业持续向好发展,IGBT下游产业迅速发展,对IGBT需求持续增长,近年来全球市场与中国市场均保持增长态势。

  根据英飞凌年报披露,2016-2018年,全球IGBT市场规模分别达到 45.1、52.6、62.2 亿美元,同比增速分别为6.6%、16.5%、18.4%,全球市场加速增长;国内IGBT市场持续向好发展,2019 年市场规模达155亿,同比增长6.4%。

  其中IGBT模块市场也出现增长,根据IHSMarkit 2018年报告统计数据显示,2017年全球IGBT 模块市场约为47.9亿美金。根据集邦咨询《2019中国IGBT产业发展及市场报告》显示,2017年中国IGBT 市场规模预计为128亿人民币,2018年中国IGBT 市场规模预计为153亿人民币,相较2017年同比增长19.91%。受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模仍将持续增长,到2025 年,中国IGBT市场规模将达到522 亿人民币,年复合增长率达19.11%。

  目前IGBT 市场仍主要被境外企业垄断,且构成竞争的企业不超过10 家。根据IHSMarkit 2018 年报告统计数据显示,IGBT 模块前十大供应商占据市场份额超过75%。

  总体来看,目前国内IGBT产业处在快速发展阶段,已经形成了相对完整的IGBT产业链。未来随着国内新能源车的放量,中国IGBT企业将迎来快速发展及进口替代的良好机遇。

  英飞凌科技公司的前身是西门子集团的半导体部门,是全球领先的半导体公司之一。公司的主营业务涉及汽车、芯片卡与安全、工业电源控制和电源管理四个方面。英飞凌科技公司作为行业龙头,是IGBT 技术领导者,根据IHSMarkit 2018年报告,2017 年全球市场占有率为22.40%,对于低电压、中电压和高电压IGBT领域,英飞凌均占据领先地位。

  主要产品有HybridPACK DSC S2,通过在HybridPACK DSC模块上配备EDT2技术,这个芯片组具备750 V阻断电压,属于市场主流的电压级别,但是电流能力略低,不过可以采用多模块并联的方案来提升总体性能。表现出基准电流密度、强大的短路耐受能力和优异的轻载功率损耗。DSC S2产品采用成熟的双面散热封装概念,并且可以提供芯片结温最高达175°C的短期运行能力。通过芯片技术升级和提高芯片工作温度,相比于现有的HybridPACK™ DSC S1,它能够以相同外形尺寸,实现40%性能提升。

  三菱电机株式会社是三菱集团的核心企业之一,三菱电机在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。三菱电机半导体产品包括功率模块(IGBT、IPM、MOSFET 等)、微波/射频和高频光器件、光模块和标准工业用的TFTLCD 等。作为全球领先的IGBT 企业,三菱电机在中等电压、高电压IGBT 领域处于领先地位。根据IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为17.90%,仅次于英飞凌。

  三菱电机株式会社计划从6月30日开始陆续提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模块”样品,共有3种封装48个品种,适用于各种用途的工业设备。这些产品能够满足通用变频器、电梯、不间断电源(UPS)等工业设备低功耗和高可靠性的需求。搭载采用CSTBTTM结构的第7代IGBT,能降低功率损耗和EMI噪声。

  通过采用新背面扩散技术的RFC二极管,实现降低功率损耗,且无阶跃恢复(仅限额定电压为1200V的产品)。在阴极部分地增加P层,因而使得恢复波形变得平缓,并且能够抑制电压尖峰。

  富士电机株式会社成立于1923 年,旗下的富士电机电子技术株式会社负责半导体元件的生产和销售。富士电机在全球生产和销售IGBT、MOSFET 等功率半导体。富士电机IGBT 芯片的设计和生产主要集中在本国进行,在英国、日本和菲律宾都设有功率器件生产工厂。

  作为业内领先的IGBT 企业,富士电机主要生产IGBT 模块和IPM 模块,产品在工业控制和变频家电中广泛使用。根据IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为9.00%,位列第三。

  EV、HEV用IGBT模块采用直接水冷铜散热片结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。

  赛米控是全球领先的电力电子制造商,发明了全球第一款带绝缘设计的功率模块,主要生产中等功率输出范围(约2KW 至10MW)中广泛应用的电力电子组件和系统。生产产品包括芯片、分立器件、二极管、晶闸管、IGBT 功率模块和系统功率组件。赛米控在低电压消费级IGBT 领域具备一定优势,根据IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为8.30%,位列第四。

  赛米控的SK 9 BGD 065 ET 具有紧凑型设计、热传导及击穿隔离、高短路容量、低托尾电流等特点。主要应用于换向器与伺服驱动系统。以下是产品图:

  嘉兴斯达半导体股份有限公司是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业,是目前国内IGBT领域的领军企业。

  公司主要产品为功率半导体元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块,实现了进口替代。其中IGBT模块产品超过600种,电压等级涵盖100V~3300V,电流等级涵盖10A~3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。

  其600V/650V IGBT模块有A3.1.Half Bridge,采用NPT IGBT技术、10μs短路能力、VCE(sat)具有正温度系数、低电感情况、快速软反向恢复反并行前驱、高功率循环能力的AlSiC底板、AlN基板,低热阻。

  杭州士兰微电子股份有限公司是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。

  主要产品有士兰微SGM820PB8B3TFM,采用6单元拓扑,具有高结温,高功率密度,低电感特征。此功率模块是基于精细沟槽的FS-V技术,阻断电压达750V,低开关损耗,使用直接水冷基板,低热阻,符合RoHS和通过UL认证。

  株洲中车时代半导体有限公司通过十余年持续投入和平台提升,已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM(集成设计制造)模式企业代表,拥有芯片—模块—装置—系统完整产业链。公司拥有国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片线。

  主要产品型号有TIM750ASM65-PSA011,其具有AISiC 基板、AIN 衬板、高热循环能力、10μs短路承受能力,封装外形图如下:

  在低成本与高价格驱动下,国际龙头毛利率水平高于国内龙头。国际龙头由于品牌优势,一般产品定价较高。在更高的单位成本与更低的产品单价双重影响下,斯达等国内品牌的毛利率水平显著低于英飞凌、三菱等国际品牌。斯达半导与英飞凌分别作为国内外主营 IGBT的龙头企业,其毛利率水平差距明显,英飞凌最近三年一期的毛利率分别为 37.2%、38.7%、36.7%与34.5%,斯达半导最近三年一期的毛利率分别为30.6%、29.4%、30.6%与30.9%,前者比后者高出约6%的水平。

  但是国内龙头加速IGBT产能扩张,迎来降本空间。斯达半导等国内龙头在产能扩张时有望形成规模效益,带动生产成本的下降;同时,在晶圆生产线升级、新技术研发中心设立等举措影响下,国内厂商的 IGBT 制造水平有望提高,从而提升原材料利用率,进一步降低芯片生产的单位成本。

  声明:本文由电子发烧友综合报道,内容参考自英飞凌、斯达半导体、株洲中车时代、士兰微、IHSMarkit等,转载请注明以上来源。如需转载和入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料采访需求,请发邮箱。

  Q: 实际应用中,IGBT的开关频率上限应如何确定? A: 开关频率是指IGBT在一秒钟内的开关次数....

  新能源汽车领域更是IGBT的用武之地。有关信息显示,在新能源汽车中,IGBT模块约占整车成本的7%~....

  波老师那个年代上大学都是自己攒机装电脑,买CPU先问主频多少Hz?后来买手机也是,先看几个核,再看主....

  5G基站作为新基建重点建设的产业之一,意味着国家接下来会投入大量资金加速5G基站建设。 自从国内5G....

  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)....

  对可靠性需求凸提示 2020年,中国以及全球海上风电进入快速增长期,新一轮的海上风电竞赛越发激烈,S....

  本文档的主要内容详细介绍的是IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明包括了:IGBT 的基本结构,....

  本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标,包括电流参数、电压参数、开关参数极管参数及热学参数,....

  其实笔者想说的是,并不存在十全十美的半导体材料,被业界选中并广泛使用的,都是在各个性能指标之间的平衡....

  SLM2136是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高、低压侧参考输出通道....

  今天政策层面有一个大消息,特大消息,那就是我国拟全面支持半导体产业,第三代半导体产业将写入十四五规划....

  号外、号外、号外, 英飞凌电源与传感系统云端大会 启动啦~ 9月7日-11日, 两岸三地、专家携手,....

  硅功率器件现正开始达到其性能改进被抑制的阶段,不可避免的结论是来自硅进一步支持的技术演进的能力逐渐减....

  【泰克电源设计与测试】致工程师系列之五:优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计

  半桥电路(图1)广泛用于功率电子领域的多种应用,是现代设计中有效转换电能使用的基本电路。但是,只有在....

  近年来,功率器件逐渐成为众人瞩目的“焦点”。比亚迪功率器件产品总监杨钦耀告诉《中国电子报》记者,功率....

  与传统主流的硅材料相比,作为新材料的SiC和GaN有哪些特性?以SiC为例,如下图所示,从物理特性来....

  但需注意的是,虽然充电桩出货量增长,但并没有带动上游的功率器件出货量增长。行业人士向集微网表示,“今....

  SiC功率器件作为一种新型功率器件,在新能源汽车的应用中具有极大优势。据悉,SiC材料具有耐高压、耐....

  多年来,工程师和研究人员一直致力于寻找提高功率密度的方法。这是一项艰巨的任务。大多数公司将研究重点集....

  BOS大功率逆变模块组主要由IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、开关电源、散热器、电解、吸收电容、驱动板、铜板等部件相互...

  虽然充电桩整体出货量大增,但是上游的功率器件出货量却不及预期。国内某汽车功率器件分销业务的资深人士向....

  NCE15TD60BD和NCE15TD60B与NCE15TD60BF绝缘场效应管的数据手册

  600V沟道FSII IGBT采用NCE专有的沟道设计和先进的FS(现场停止)第二代技术,具有优越的....

  乐投体育

  对于业绩增长及充电桩的市场前景,盛弘股份产品总监陈代伟向集微网表示,“上半年公司充电桩及其他事业部业....

  我国IGBT供应商在中高端IGBT产能不足,IGBT对外依赖度超90%,长期依赖国际巨头。在供不应求....

  SPWM理论指出,采用平均对称规则采样调制方法所得到的三相变频输出线电压的基波振幅最大为 aEd, ....

  英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集....

  据IC Insights报告显示,功率器件市场将在2022年重新回到历史最高水平,届时销售额预计将增....

  功率模块供应商会搭建不同的产品解决方案,并进行转换效率,温升等指标验证,向下游的客户(生产电机控制器....

  IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型....

  被誉为新世界第七大奇迹之首的北京大兴国际机场已正式投运近一年,广泛应用各项新技术,包揽了多项世界之最....

  FNA27560是一个运动Spme 2模块,为交流感应无刷直流提供功能齐全、高性能的逆变器输出级。而....

  电的发现是人类历史的革命,由它产生的动能每天都在源源不断的释放,人对电的需求不亚于人类世界的氧气,如果没有电,人类的文明...

  IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧...

  本站原创! (电子发烧友报道 文/章鹰 )2020年第二季度,全球受到疫情的影响经济大幅度下滑,但是....

  工艺准确度和工艺稳定性是决定产品成品率和可靠性的重要因素,可用统计工艺控制(SPC,Statisti....

  与使用内燃机的传统汽车相比,电动汽车的能效要高得多,但这也带来一个问题:来自电机的废热不再足以满足车....

  SiC功率器件在新能源汽车应用中的关注度越来越高,电机驱动、车载充电机(OBC)、DC-DC等应用都....

  变频器驱动电路中常用IC,共有为数不多的几种。可以设想一下,变频器电路的通用电路,必定是主电路(包括....

  7月29日,华润微公布2020年半年报,报告显示,华润微实现营业收入30.63亿元,较上年同期增长1....

  7月23日,湖南省工信厅组织召开的湖南省IGBT、智能网联汽车、智能电力运维装备产业链技术创新路线图....

  共创共享,合作双赢 扬杰科技首届充电桩功率器件解决方案推介会圆满成功!

  由扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)主办的共创共享,合作双赢扬杰科技充电桩功率....

  在实际使用中不少用户只是按照变频器制造单位原有的设定值,并没有根据现场的实际情况进行调整,因而造成因....

  即将于8月3日与大家线年度英飞凌学者交流会超强嘉宾阵容正式揭晓!英飞凌携手高校知名专....

  制动单元由大功率晶体管GTR及其驱动电路构成。其功能是为放电电流环节电容器在规定的电压范围内储存不了....

  目前 IGBT 模块制造商主要有英飞凌、三菱电机、富士电机、赛米控。IGBT 模块工艺较为复杂,设计....

  二极管的反向恢复电荷Qrr与正向压降Vf的关系曲线可以表示出二极管的特性。这意味着,原则上该曲线上的....

  近日,华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品,并实现量产。其碳化....

  IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低....

  在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相...

  电 力 电 子 变 换 技 术 的 发 展 , 使 得 各 种 各 样 的 电 力 电 子 器 件 ....

  使用SOD-123FL封装做400W产品,替代传统的SMA封装;SMAF/SMA封装做600W产品,....

  IR2125(S)是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有过流限制保护电路。专有的HV....

  IGBT是电源应用中相当常见的器件,可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体(ON Semiconductor)所推出的TO247...

  工业生产电子设备的发展趋向是更小的线路板规格、更时尚潮流的外观设计和更具有成本效益。因为这种发展趋势,电子控制系统设...

  购买了高压套件TMDSHVMTRINSPIN,配合TMS320F28335 controlCARD。一直运行正常,昨天下载了HVACI_S...

  基于IXBD4410 / 4411半桥驱动器的评估板IXDP630KIT

  IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631评估板IXDP630KIT采用经过验证的ISOSMARTTM半桥驱动器芯片...

  基于IXBD4410 / 4411半桥驱动器的评估板IXDP631KIT

  用于IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631的IXDP631KIT评估板采用经过验证的ISOSMARTTM半桥驱动...

  NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

  T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个160A / 1200V半桥IGBT和二极管组成,两个中性点120A / 1200V整流器,两个100A / 600V中性点IGBT,带反向二极管,两个半桥60A / 600V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 600 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...

  NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

  120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...

  NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

  N65L4Q2是功率集成模块,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...

  NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

  120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...

  NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

  B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...

  NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

  T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...

  CH120DF是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...

  CH120D是一款先进的MotionSPM®3模块,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...

  NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

  120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...

  一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图

  65L4BT是一款PFCSPM®2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...

  NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

  60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...

  NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

  60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...

  NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

  4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...

  1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...

  3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,乐投体育平台包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

  6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...

  2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...

  3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...

  2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...

上一篇:乐投体育富士伺服电机怎么样它的优势是什么

下一篇:乐投体育网址计算机学院代表团访问日本中部大学和富士电机公司